SiC功率元器件選型手冊

碳化矽元器件由于其材料自身的特征（寬禁帶寬度，高擊穿場強，低導通電阻，低熱阻等），相比于矽級元器件，適用于高結溫，高擊穿電壓，高功率，大電流等，滿足了當下電力電子行業新的發展需求。

SiC肖特基勢壘二極管：超快開關速度，極小反向恢複電流，從而大大降低開關損耗並實現卓越能效。

SiC-MOSFET：低損耗，更快的開關速度，高阻斷電壓，適應于最高600℃的高溫環境，可實現整個系統的小型化。

SiC功率模塊：多個碳化矽芯片模塊化集成封裝，進一步提升了碳化矽功率器件的電流容量，相對于Si級功率模塊，開關損耗及體積均大幅下降。且其高電壓、大電流、高溫、高頻率、低損耗等獨特優勢，將極大地提高現有能源的轉換功效。

威海祺翔节能科技有限公司成立于2018年4月，是在陕西省委省政府的支持下，联合中國西電集團公司、西安電子科技大學和西安高新区协同投资建设以企业化运营模式成立的共性研发平台。要紧致力于加快半导体前沿关键技术研发创新，推动先進半導體器件和第三代半导体为核心的产业创新体系，服务于中国先進半導體的技术创新和转化，并要紧面向全国半导体产业，开展公共服务，推动建立产线创新体系，促进产业发展，突破中国半导体的“卡颈项”技术问题。

先導中凶袄托西電微電子學院開展SiC技術産業化工作，西電微電子學院是國內最早從事碳化矽技術研發的單位，已經有近三十年的積累，專利儲備數量國內排名第一，全球前八。先導中心使用西電技術已經研制出多款高性能碳化矽功率器件，要紧器件均可實現國産替代，部分型號填補了國內空白。

應用領域：

新能源汽車:  充電樁、車載充電機（OBC）、壓縮機、DC/DC變換器、主電機驅動器等;

智能電網：儲能系統、換流閥、交流輸電設備、高壓直流斷路器、電力電子變壓器、無功補償設備、光伏逆變器等裝置中;

軌道交通： 牽引變流器、輔助變流器、電力電子變壓器等。

SiC SBD料号注释：

SA1D065001SA./SA1D065001S(裸芯)

SA     ——先导中心

1      ——代际

D      —— 肖特基二极管

0650   ——额定电压

01     —— 额定电流”

S      ——单芯       S：单芯   D:  双芯

A      ——封装        A:  TO-220AC(2pin)    C: TO-247(2pin)   D: TO-247(3pin)

SiC MOSFET料号注释：

SA1M12000020D/SA1M12000020(裸芯)

SA       ——先导中心

1        ——代际

M       ——MOSFET

1200     ——额定电压

0020     ——导通电阻

D        ——封装 TO-247(3pin)