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華爲押注第三代半導體,離百年巨頭博世更近一步

發布時間:2025-04-30

科技产业近期最火热的话题,当属小米官宣造车。而在小米的 “上车” 决定背后,华为是一个考量点。


一位小米管理人士在同意騰訊国产新闻采訪時表达,小米敢于同時在手機和電動車兩個市場作戰,原因之一是看到華爲回歸主流手機領域的也许性已經比較渺茫。


在智专家机市场遭遇逆风,华为的汽车之路只得走得更加坚定。在历经美国三轮制裁之后的 2025-04-29 日,华为官方社区公布了一项由任正非签发的决议:华为汽车解决方案 BU 的业务统辖关系从 ICT 业务管理委员会调整到消费者业务管理委员会,转而由华为消费者业务 CEO 余承东直接担负。

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华为最早在 2019 年发表著名的 “不造车 “宣言 —— 华为不造整车,而是聚焦 ICT 技术,帮助车企造好车,造好车,成为智能网联汽车的增量部件提供商。市场预估,进军车用供应链的华为将对标全球汽车零部件巨头博世。


近段时间,市场传出华为进军功率器件及第三代半导体材料的消息,显示华为正在进一步拓展其汽车赛道,并加速成为汽车产业链中的 “博世”。


然而,博世也没停下脚步。2021 年 3 月,博世公布旗下的博世创投(RBVC)完成对基本半导体的投资。基本半导体是一家中国第三代半导体企业,致力于碳化硅 SiC 功率器件的研发与产业化,要紧应用于新能源发电、新能源汽车等土地。


在智能电动浪潮下,汽车从 “电子 + 电气” 转换为 “通信 + 计算”,通信架构和软件算法成为华为跨足汽车赛道的优势,“软件界说汽车” 更成为未来的趋向。


华为与博世,一家是 ICT 产业的跨行新秀,另一家是汽车零部件的 “百年老店”,两者在智能汽车赛道上,会摩擦出怎样的火花?


華爲押注功率器件


有知情人士向媒体吐露,华为正在为公司的功率器件研发大力招兵买马,涉及 IGBT、MOSFET、SiC、GaN 等主流的功率器件。简单来说,华为正布局功率器件及第三代半导体两大产业热点土地。


另据《问芯 Voice》观察,华为于 2020 年 12 月在领英发布了多条招募 IGBT 研发人员的消息。

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功率器件是新能源汽车电控系统中最核心的电子器件之一,新能源汽车中功率器件的价值量约为传统燃油车的 5 倍以上。华为原本就计划成为博世如此的汽车零部件供应商,发力功率器件并不令人意外。


目前,传统硅 Si 材料仍占据 95% 以上的半导体器件市场。然而,随着 5G、汽车电动化时代到来,对功率器件在开关频率、散热、抗压性能等方面都有了更高层次的要求,传统硅基础的功率器件逐步出现瓶颈。


因此,第三代半導體材料憑借高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特征,開始获得重視。


特别是氮化镓 GaN、碳化硅 SiC 在第三代半导体材料中,属于技术较为成熟且市场认可度高,並逐步在 5G、新能源汽车、消费电子等土地获得重要应用。其中,新能源汽车是被看好的高成长性市场。


舉個例子,第三代半导体功率器件导入市场之际,Model 3 首采用碳化硅元件制程是一起标志性事件。过去电动车都使用硅制成的 IGBT 电源转换芯片,但特斯拉 Model 3 首次采用意法半导体制造的碳化硅 SiC 元件为电动车转换电能。


换上碳化硅 SiC 芯片的电动车,提升续航力约 4%,各家厂商因此主动布局碳化硅技术。


英飞凌预期,到 2025 年,碳化硅 SiC 芯片将占汽车电子功率元件两成。这意味着,偏偏是为了顺应功率器件发展方向,华为布局第三代半导体材料就非常自然。


围绕第三代半导体产业,华为投资了碳化硅头企业山东天岳先进材料科技有限公司,持股 10%。2020 年 7 月,华为投资东微半导体,涉及压服 GreenMOS 系列、中低压 SGTMOS 系列、IGBT 系列三大系列产品。同月,华为哈勃投资入股北碳化硅晶片制造商京天科合达,持股比例 4.82%。


整体来看,布局功率器件非常契合零部件供应商的角色。有分析师告知《问芯 Voice》,华为今天布局功率器件,最重要的是找到出海口,国内较为繁荣的电动车市场是不错的机会。


汽车业务之外,布局第三代半导体也可以和华为的消费电子、数据中心等业务协同。譬如,基于氮化镓 GaN 的分立器件也更适合于数据中心或基站电源如此的高功率应用。

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第三代半導體是彎道超車的好機會?


国家 2030 计划和 “十四五” 国家研发计划已明确第三代半导体是重要发展方向。多重因素作用下,第三代半导体正成为中国政府推进半导体产业的着力点。


从应用端来看,第三代半导体不仅习惯电动车、6G 如此的战略性市场,还切中了 “新基建” 中 5G 基站、特压服、新能源充电桩、城际高铁等要紧土地。


中芯國際創始人張汝京曾表达,第三代半導體采用成熟制程,設備要求不算高,資本投入不算大,且國內企業和國外龍頭差距相較于第一、二代半導體較小,國內公司存在彎道超車機會。


在第三代半導體領域,中國的布局與發展究竟和歐美國家有多少差距?


关于此问题,分析师有着不同的看法。有分析师告知《问芯 Voice》,由于美国在第三代半导体土地着墨不深,这也意味着,国内企业在发展时不也许太受制于中美关系走向。


只是,关于中外第三代半导体差距的讨论,常常听到 “处于同一起跑线” 的说法。该分析师认为,如此的看法有着误导性。


就车规级碳化硅器件而言,国内以 4 到 6 英寸晶圆为主,而意法半导体如此的国际一线厂商差不多迭代到 8 英寸。因而,国内外厂商产品的成本差异太大,国产产品很难形成竞争力。


不仅如此,进入 2021 年,博世、罗姆、意法半导体等巨头企业都表现出扩大第三代半导体产能的动作,以巩固领先地位,而这也会让价格差距不断拉开。


博世集团位于德国德累斯顿的芯片工厂差不多结束生产第一批半导体晶圆,据报道,该芯片工厂投资额约为 10 亿欧元,且博世从 2019 年结束就在该工厂研发碳化硅产品。


罗姆此前表达,2025 年 3 月底前计划对宫崎工厂累计投资 600 亿日元,以将碳化硅 SiC 芯片产能扩增至 2016 年度的 16 倍,其中新能源汽车 SiC 功率半导体产能将是目前的 5 倍。


尽管国际大厂主动扩产,但比亚迪对产能持灰心论调并认为,未来三到五年,IGBT、碳化硅 MOSFET 的产能预计会成为新能源汽发展的最大瓶颈。


这也意味着,如果未来碳化硅 MOSFET 如此的第三代半导体产品确实存在产能缺口,也将成为国产厂商追赶之路上的利好。


分析师指出,如果要加速应用国产第三代半导体功率器件,补贴也许会成为政策选项之一。只是,前提是,大陆厂商制造出可用的车规级功率器件,像是 IGBT 如此的产品要能长期使用,客户质对量要求非常高。

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IDM模式 v.s. 晶圆代工


今天第三代半导体产品的生产虽以 IDM 模式为主流,只是也有很多业内人士认为,晶圆厂仍然有机会。事實上,台灣地區的晶圓代工龍頭台積電已經吃到第三代半導體的紅利。


2021 年,IC 设计公司 Navitas 公布,已卖出 1300 万个第三代半导体变压器,目前每个月出货达成 100 万,在细分土地拥有 5 成市占率。台积电从 2014 年结束帮 Navitas 代工生产,也因而在第三代半导体技术浸透约 1% 的市场起步时期就有所斩获。


同樣在晶圓代工層面,一些廠商也正在爲第三代半導體市場儲備技術。如台積電轉投資的晶圓代工廠世界先進正積極建立完整的氮化镓加工技術,除了前後段制程都自行完成,也會建立自己的晶圓薄化技術。


結語


第三代半導體技術意味著什麽?以當下備受關注的電動車市場爲例,曾有業內人士指出:“過去汽車是否省油,是由引擎決定,未來電動車要如何省電,則是由第三代半導體技術決定。”


中國若要在半導體領域實現彎道超車,第三代半導體材料會是一個突圍方向,這一觀點已取得較爲廣泛的共識。潮流之中,發力功率器件並順勢進擊第三代半導體的華爲,憑借其投資布局和國內數一數二的科技實力,在靠近汽車零部件巨頭目標的同時,或將引領國內第三代半導體事業取得突破。



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