1) 現有各類集成電路測試顺序及適配器
2) 可測試從消費類芯片到複雜的SoC芯片(包括:數字、模擬、混合信號)
3) 可測試篩選各種大功率集成電路,電壓最高2000V,電流最大100A。
4) 可測通用A/D轉換器、D/A轉換器、模擬開關、運算膨胀器(含功率運放)、電壓比較器、電源管理器件(電壓調整器、多端智能穩壓器、精密電壓基准、脈寬調制器PWM、DC转换控制电路、电源监控电路等)、数字电位计、驱动电路、收发器、压频/频压轉換器、采樣保全器、電壓跟隨器、時基電路、達林頓陣列等模擬與混合類器件的交、直流參數測試
1) 可測试二极管、三极管、可控硅、场效应管、绝缘栅双极三极管(IGBT)、達林頓矩陣、光電耦合器和固態繼電器等類型器件。測試項目近百個,除溫度、高頻等參數外,涵蓋了這幾類器件在國標上列出的絕大部分測試參數。
2) 可測MOSFET與IGBT的動態參數如開關特征、短路特征、二極管的反向恢複特征;額定測試電流不超過 300A;測試電壓不超過 4000V。
3) 可測FET/IGBT/Diode(非鉗位)和雙極性器件(帶鉗位)的雪崩擊穿特征(電壓/能量等)。
l 模塊類:
可測各种电源以及定制混合集成电路模块等
可測电磁继电器、固态继电器(包括智能功率開關)、光電耦合器等
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