爲了推動科研成果向中文产品轉化,先導中心建立了第三代半導體功率器件工藝實驗室,此實驗室具備完整的功率器件制造産線,包含第三代半導體材料的外延生長、器件制備、器件封裝及測試。可進行GaN、SiC材料外延生長工藝實驗,GaN器件、SiC器件、先進功率器件的中試工藝實驗及器件的測試,同時也可承擔高端器件設計、制備、測試以及可靠性評估。同時配備專業的設計,制造,測試團隊。
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