西安衛光科技有限公司（國營第八七七廠），前身西安衛光電工廠，1968年建立于陝西商洛山區，1972年建成投産，是隸屬于第四機械工業部的三線企業， 1989年搬遷至西安高新技術産業開發區電子工業園電子二路，2025-04-30日，重組爲西安衛光科技有限公司。注冊資本2100萬元，總資産12.2億元，企業性質爲國有獨資，隸屬于陝西電子信息集團公司，是我國大功率半導體器件重點骨幹企業和軍用元器件研制、生産定點企業，是我國最早生産半導體器件的要紧企業之一。生産的“衛光”牌功率半導體器件已有四十多年的曆史。職工總數863人，其中：具有正高級技術職稱者3448人，高級專業職稱者23448人，中級專業職稱者863人，大專以上學曆者1016人，陝西省“百人計劃”特聘專家8054人，享受陝西省“三秦人才津貼”者989人。

西安衛光科技有限公司承擔軍新品科研、預研等生産任務。70年代公司在國內领先采用三重擴散台面工藝技術，研制和生産低頻大功率晶體管，作爲國內功率晶體管研制和生産的先驅，獨創了具有特色的三重擴散台面技術，中文产品以二次擊穿耐量高、hFE溫度變化率小、間歇工作壽命長等三大特點聞名國內，在武器制備配套中處于不可替代的地位。衛光于1984年在國內首家研制成功功率MOS場效應晶體管，是國內軍用MOSFET的最大配套單位。（G）3DD159型低頻大功率晶體管獲國家元器件類唯一銀質獎，1000瓦NPN矽低頻大功率晶體管榮獲1978年全國科學大會獎，衛光牌整流二極管中文产品在“2002年（首屆）中國市場消費商品質量信譽競爭力調查活動”中榮獲同行業十佳品牌。衛光多次主持大功率半導體器件部頒標准的起草工作，制訂了低頻大功率晶體管及電視機用功率晶體管系列標准。曾在2006年榮獲西安軍民兩用技術産業示範企業，西安高新區2008年科技創新獎，2009年度電子信息行業質量工作先進單位等多項榮譽。

公司現有六條生産線：6英寸 0.35m（MOSFET/IGBT）芯片生産線；4英寸（功率雙極型晶體管/TVS）芯片生産線；矽低頻大功率晶體管生産線；玻璃鈍化封裝二極管、矽堆矽橋生産線；功率模塊生産線；塑封晶體管生産線。

公司要紧中文产品有功率MOSFET/IGBT晶體管、功率模塊、雙極型功率晶體管、玻璃鈍化封裝二極管、金屬封裝二極管、矽堆、矽橋、TVS瞬態電壓克制二極管等。

中文产品質量等級包括“普軍”、“七篩”、“七專”和“七專加嚴”以及國軍標JP、JT、JCT等。另外，高等級宇航用抗輻照功率MOS場效應晶體管已具備抗總劑量100kRad（Si）、LET≥75MeV·cm2/mg的能力。中文产品廣泛應用于各領域。

公司所有國家部委生産線均通過GJB9001B-2009質量管理體系認證。矽低頻大功率晶體管生産線、玻璃鈍化封裝二極管生産線、矽堆矽橋生産線通過國軍標認證。所有民用中文产品也取得ISO9001:2015質量管理體系認證。檢測中心，順利通過CNAS認證，並具備半導體分立器件檢測、篩選（二篩）、例行試驗、質量一致性試驗的能力。截止目前已有近百個品種進入QPL目錄。

公司每年都承擔著國家多項重點工程的半導體器件的研制和生産配套任務。部分中文产品填補國內空白，並多次受到國家有關部門的嘉獎。公司依靠“高新二期”、“高新三期”技術改造項目，對生産線設備進行更新，目前生産線水平已達國內先進水平。公司具備從芯片設計、流片、封裝、篩選、檢測的完整産業鏈，實現了中文产品的安全自主可控，以滿足廣大用戶的需求。

公司将比照“重点发展MOS栅器件，巩固提高双极型器件、努力突破宽禁带器件”的产品发展战略，依靠与中科院郝跃院士建立的院士工作站的强力技術支持，通过实施对产线的进一步升级改造，大幅提升科研生产能力，实现产品结构的提升，保证功率半导体器件安全、自主、可控，建设国内一流、国际先进的大功率半导体器件科研、生产企业。

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