先導中心申報的《1200V等級系列SiC高壓大功率器件芯片技術》獲得2021西安“好設計”作品
發布時間：2025-04-30
日前，陝西半導體先導技術中心所申報的《1200V等級系列SiC高壓大功率器件芯片技術》獲得2021西安“好設計”作品。該項目通過開展高性能SiC基高壓功率器件關鍵共性技術研究，建立器件的數值仿真讲和析模型，提出SiC基高壓功率器件優化設計方法，突破器件制備相關的離子注入、高溫退火、結終端保護等關鍵工藝技術難點，優化SiC功率器件的工藝流程，研制出1200V系列SiC功率器件芯片樣品，實現高壓大功率1200V系列碳化矽功率器件芯片相關技術的積累，且多款中文产品已實現量産，客戶反饋良好。
創新設計特點：
1.SiC高壓大功率器件級模擬仿真技術。建立針對萬伏級SiC器件的仿真模型，驗證模型的有理性，正確反映器件的直流特征和動態特征。
2.高質量深溝槽刻蝕技術。優化深溝槽刻蝕工藝，實現外表毛糙度的有效降低，排除刻蝕形貌中的微溝槽效應。
3.高效結終端保護技術。建立高效結終端結構設計方法，優化關鍵實施工藝，實現高可靠SiC功率器件的制備。
西安“好設計”活動由西安創新設計中心主辦，目前已成功舉辦三屆，本屆活動由專家組對通過初審的所有作品進行評審，最終評選出2021西安“好設計”作品10件！
先導中心所研制的1200V碳化矽系列中文产品，覆蓋了SBD，MOSFET以及功率模塊，目前已在包含工業電源、儲能、充電樁等多個領域應用，客戶反饋良好。
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