先导中心即将推出1200V 20mΩ SiC MOSFET产品
發布時間：2025-04-30
先导中心即将推出的1200V SiC MOSFET产品SA1M12000020型号，采用自对准短沟道工艺，大幅度降低了器件导通电阻，达成20mΩ，使其具有高开关速度、低导通损耗等特点，将为应用系统带来更高的功率密度、更高的工作温度。
SA1M12000020型號目前在國內處于領先地位，此型號中文产品在高功率密度電源和電驅動領域有較大的優勢,在充電樁、儲能、工業電源有廣泛的應用，特別是在可再生能源變頻器,電動車輛充電系統,三相工業電源領域具備較大優勢。由于可做到國內領先的120A的單管Id電流，區別于目前主流市場的導通電阻80mΩ，額定電流40A的碳化矽MOSFET，在應用領域,可大幅減少並聯,有助實現更小型更高效的下一代功率轉換系統。同時相對其他等效的MOSFET，其有較低的導通電阻（20mΩ），從而減少發熱，有效解決市場之痛點。歡迎廣大客戶前來垂詢！
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